在了解（jiě）5V单片机驱（qū）动mos管（guǎn）电路之前，先了解一下单片（piàn）机驱动mos管（guǎn）电路图及原（yuán）理，单片机驱动mos管电路主要根据（jù）MOS管要驱动什么东西，要只是一个（gè）继电（diàn）器之类的小负载的话（huà）直接（jiē）用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负（fù）载要加保护二（èr）极管和吸收缓冲，最好用N沟道（dào）的MOS。

如果驱动的东西(功率)很大，(大电流（liú）、大电（diàn）压（yā）的场合（hé）)，最好要做（zuò）电气隔离（lí）、过（guò）流超压保（bǎo）护、温度保护等……此时既要隔离传（chuán）送（sòng）控制信号(例如PWM信号)，也要给驱动级（jí）(MOS管的推动电路)传送电能。常（cháng）用的信号传送有（yǒu）PC923 PC929 6N137 TL521等至于电能（néng）的传送（sòng）可以用DC-DC模块。如（rú）果是做（zuò）产品的（de）话建（jiàn）议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降（jiàng）低（dī）成本。然后MOS管（guǎn）有一种（zhǒng）简单的驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与（yǔ）PNP一个用（yòng）于（yú）MOS开（kāi）启驱动（dòng），一个用（yòng）于MOS快速关断。
图一：适合开关频率（lǜ）不（bú）高（gāo）的场合，一（yī）般低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小（xiǎo）由V+决（jué）定，V+越高（gāo），R2、R3越大（dà），以保证电（diàn）阻及三极（jí）管功耗在允（yǔn）许范围，同时保证R2和R3的分（fèn）压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。

补充：图二：适合（hé）高频大功率场合，到达100KHz没问（wèn）题，同时可（kě）以并联多个MOSFET-P管

R2、R3需要（yào）满足和图一（yī）一样的条（tiáo）件，其实就是（shì）图（tú）一加了级推挽，这（zhè）样就可以（yǐ）保证MOSFET管高速开关，上面（miàn）6P小电（diàn）容是发射结（jié）结（jié）电容补偿电容，可以改（gǎi）善三极管高速开关特性。

另外（wài）：MOSFET的栅极电（diàn）容较大，在使用（yòng）的时候应该把它当（dāng）成一个容（róng）抗（kàng）负载来看。

MOS管（guǎn）驱动电路

在使（shǐ）用MOS管设计开关电（diàn）源或者马达（dá）驱动电路的时候，大（dà）部分人都会考虑MOS的导通（tōng）电（diàn）阻，最大电（diàn）压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样（yàng）的（de）电路也许是可以工作的（de），但并不是优秀的，作（zuò）为正式（shì）的产品设计也是不允许的。

MOS管（guǎn）导通特（tè）性

导通的意思是作为开关，相（xiàng）当于开（kāi）关闭合。

NMOS的（de）特性：Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（kuàng）(低（dī）端驱动)，只要栅（shān）极电（diàn）压（yā）达到4V或10V就（jiù）可以了。PMOS的特性：Vgs小于（yú）一定的（de）值就（jiù）会（huì）导通，适合用于源（yuán）极接（jiē）VCC时的情况(高端驱动（dòng）)。但是，虽（suī）然PMOS可以很方便（biàn）地用（yòng）作高（gāo）端驱（qū）动，但（dàn）由于导通电阻大，价格贵，替换种（zhǒng）类少等原因，在高端驱动中，通常（cháng）还（hái）是（shì）使用NMOS。

MOS开关管（guǎn）损失

MOS管驱动电路（lù）不管是NMOS还（hái）是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电（diàn）阻上消耗能量，这部分（fèn）消（xiāo）耗的能量叫（jiào）做导通损耗。选择导通电阻小（xiǎo）的（de）MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻（zǔ）一般在几十毫欧左右，几（jǐ）毫欧的也（yě）有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间（jiān）完成的。MOS两端的电压有一个（gè）下降的过程（chéng），流过的电流有（yǒu）一个上升的（de）过程，在这段时间内，MOS管的损失是电（diàn）压（yā）和电流的乘积，叫做开关损失（shī）。通常开关损失比导通损失（shī）大（dà）得多，而且开关频率越快（kuài），损失也（yě）越大。

导（dǎo）通（tōng）瞬间电（diàn）压和电流（liú）的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关（guān）时间，可以减小每次导通时（shí）的损（sǔn）失;降（jiàng）低开关频率，可以减小单位时间内的开关（guān）次数。这两种办法都可以减小开关损失。

MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一（yī）般认为使MOS管导通不（bú）需要（yào）电流，只要GS电压高于一定的值，就（jiù）可（kě）以了。这个很容易做到，但是，我们还需（xū）要（yào）速度。在MOS管的结构中可（kě）以看到，在GS，GD之间存在寄生电（diàn）容，而MOS管的（de）驱动，实际上就是（shì）对电容的充放电。对电容的充（chōng）电需要一个电流（liú），因为对电（diàn）容充电瞬间可以把（bǎ）电容（róng）看成短（duǎn）路（lù），所以（yǐ）瞬间电（diàn）流会比较大。选择/设（shè）计（jì）MOS管驱动（dòng）时第一（yī）要注意的是可提（tí）供瞬间短路（lù）电流的大小。

MOS管驱（qū）动电路第二注意的是，普遍用于高端驱动（dòng）的（de）NMOS，导通（tōng）时需要是栅（shān）极电压大（dà）于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（yā）(VCC)相同，所以这（zhè）时栅极电压（yā）要比VCC大4V或（huò）10V。如果在同一个系统（tǒng）里，要得（dé）到比（bǐ）VCC大（dà）的（de）电压，就要专门的升压电路了。很多马达（dá）驱动器都集成了电荷泵（bèng），要注意（yì）的（de）是应该 选择合适（shì）的外接电容，以得到（dào）足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管（guǎn）的（de）导通（tōng）电（diàn）压（yā），设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通（tōng）电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在（zài）不同的领域里（lǐ），但在12V汽车（chē）电子系统里，一般4V导通就够（gòu）用了（le）。MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司（sī）的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲（jiǎng）述得很详细，所以不打算多写了（le）。

MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好（hǎo），所以被（bèi）广泛应用（yòng）在需要电子开关（guān）的（de）电路中（zhōng），常见（jiàn）的如开关电源和马达驱动，也（yě）有（yǒu）照明调光。

二（èr）、现在的MOS驱（qū）动，有（yǒu）几个特别的应用：

1、低压应用（yòng）当（dāng）使用5V电源，由（yóu）于三极管的be有0.7V左右的压降（jiàng），导致实际最终（zhōng）加在gate上的电压只有4.3V。这时候（hòu），我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就（jiù）存在一定的风险。同样的问题也发生在使用（yòng）3V或者其（qí）他低压电源的场合。

2、宽电压应用输入电压并（bìng）不是一（yī）个固定（dìng）值（zhí），它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路（lù）提供给（gěi）MOS管的驱（qū）动电压（yā）是不稳（wěn）定的（de）。为（wéi）了（le）让MOS管在高gate电压下安全（quán），很多MOS管内置了稳（wěn）压（yā）管强行限制gate电压（yā）的幅（fú）值。在这种情况下，当提（tí）供的驱动电（diàn）压超过稳（wěn）压管的电压，就会引（yǐn）起较大的（de）静态功耗。同时，如果（guǒ）简单的用电阻分压的原理降（jiàng）低gate电压，就会出现输入电压（yā）比较高的时候，MOS管工作良好（hǎo），而（ér）输（shū）入电压降低（dī）的（de）时候（hòu）gate电压不足，引起导（dǎo）通不够彻底，从而增加功耗。

3、双电压（yā）应用在一些控制（zhì）电路中，逻辑部分使用典（diǎn）型的（de）5V或者3.3V数字电压（yā），而功率部分使用12V甚至更（gèng）高的（de）电压。两（liǎng）个电压（yā）采用共地方式连接。MOS管驱动电路。这就提出一个要（yào）求，需要使用一个电路，让（ràng）低压侧能够（gòu）有效的控制高压（yā）侧的MOS管，同时（shí）高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。