快恢复二极管是指（zhǐ）反向恢复时（shí）间（jiān）很（hěn）短（duǎn）的二极管（guǎn）（5us以（yǐ）下），工艺上多采用（yòng）掺金措施，结（jié）构（gòu）上（shàng）有采用PN结型结构，有的采（cǎi）用改进的（de）PIN结构。其正向压降高（gāo）于普通二极管（guǎn）（1-2V），反向耐（nài）压多（duō）在1200V以下。从性能上可（kě）分为（wéi）快恢复和超快恢复两个等（děng）级。前者反（fǎn）向恢复时间为数百纳秒或（huò）更长，后者（zhě）则在100纳（nà）秒以（yǐ）下。

　　 肖特（tè）基二极管是（shì）以金属和（hé）半导体接触（chù）形成的势垒为基础的二极（jí）管，简称肖特基二极（jí）管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（dī）（0.4--0.5V）、反向恢复时（shí）间很短（10-40纳秒），而（ér）且反向漏电（diàn）流较（jiào）大，耐压低，一般低（dī）于150V，多用于（yú）低电压场（chǎng）合（hé）。

　　 这两种管子通常用于开关（guān）电源。

　　 肖特基二极管（guǎn）和（hé）快恢复（fù）二极管区别：前（qián）者的恢复时（shí）间比后者小一（yī）百倍左右（yòu），前者的反（fǎn）向恢（huī）复时间大约为几纳秒~！

　　 前者的优点还有低（dī）功耗，大（dà）电流，超高速~！电气特性当（dāng）然都是二极管（guǎn）阿~！

　　 快（kuài）恢复二极管在制（zhì）造工艺上采用（yòng）掺金,单纯（chún）的扩（kuò）散（sàn）等工艺,可获得较高的开关（guān）速度,同时（shí）也能得到较（jiào）高的耐（nài）压（yā）.目（mù）前快恢复二极管主要应用（yòng）在逆变电（diàn）源中做整流元件.

　　 肖特基（jī）二极管：反（fǎn）向耐压值（zhí）较低40V-50V，通态压（yā）降0.3-0.6V，小于10nS的（de）反向恢复（fù）时间。它是具（jù）有肖特基特性的“金属半（bàn）导体（tǐ）结”的（de）二极（jí）管。其（qí）正向（xiàng）起始电压较低。其（qí）金属层除材料外，还可（kě）以采用金（jīn）、钼、镍、钛等材（cái）料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导（dǎo）体。这种器件是由多数载流子（zǐ）导电（diàn）的，所以，其反向饱和电流较以少数（shù）载流子导（dǎo）电的PN结大得多。由于（yú）肖特基二极管中少数（shù）载流子的存贮效应甚微，所以（yǐ）其频率响仅为（wéi）RC时间（jiān）常数限（xiàn）制，因而，它是高（gāo）频和快速开关（guān）的理想器件。其工作频（pín）率可达（dá）100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特（tè）基二极管（guǎn）可以用（yòng）来制作太阳能电（diàn）池或发光二极管（guǎn）。

　　 快（kuài）恢复二极管（guǎn）：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复（fù）时间，在导通和截止之间迅速转换（huàn），提高了器件的使（shǐ）用频率并改善了波形。快（kuài）恢复二极管（guǎn）在制造工（gōng）艺上采用（yòng）掺金,单纯（chún）的扩（kuò）散等工艺,可获得较高（gāo）的开关速度（dù）,同（tóng）时也能得到较高的耐压.目前快恢（huī）复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件（jiàn）.

　　 通常，5~20A的快恢（huī）复二极管采用TO-220FP塑（sù）料封装（zhuāng），20A以上的大功率（lǜ）快恢复二极管采用（yòng）顶部带金属散热片的TO-3P塑料（liào）封装，5A一下的快恢复二极管（guǎn）则采用DO-41，DO-15，或D0-27等（děng）规格塑料（liào）封装（zhuāng）。